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主要功能和技術(shù)指標(biāo)：
主要功能：Helios NanoLab 400S可用于實(shí)施實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的納米級(jí)磨削、成像、分析和樣品制備。配置超高分辨Elstar場(chǎng)發(fā)射掃描鏡筒，采用鎢燈絲電子源，可實(shí)現(xiàn)各種條件下超清晰成像。FEITomahawk離子鏡筒，提供穩(wěn)定的Ga離子束流，確保機(jī)器執(zhí)行快速、精確且可靠的磨削、制圖和離子成像，的低電壓性能可制造出高分辨率STEM和原子探針顯微鏡所用的超薄樣品；多種化學(xué)氣體注入，可以進(jìn)行沉積、增強(qiáng)刻蝕等多種操作。
技術(shù)指標(biāo)：電子束分辨率： 在最佳工作距離 - 0.9nm@15kV - 1.4nm@5kV。在束交叉點(diǎn)分辨率 - 1.0nm@15kV - 1.6nm@5kV - 2.5nm@1kV 離子束分辨率 - 在束交叉點(diǎn)： 4.5nm@30kV (選用Multi-edge平均值法測(cè)量) 2.5nm@30kV (選用單邊值測(cè)量) 最大水平視場(chǎng) - 電子束：2.3mm @ 束交叉點(diǎn)（工作距離WD 4mm） - 離子束：1.0mm @ 5kV , 束交叉點(diǎn)（工作距離WD=4mm） 加速電壓 - 電子束： 350V – 30kV - 離子束： 0.5 – 30 kV 束流 - 電子束： ? 22nA 離子束：1pA – 65 nA (15孔光闌條) 探測(cè)器 - 新一代極靴內(nèi)探測(cè)器（TLD）用于二次電子和背散射電子探測(cè) - ETD二次電子探測(cè)器 - 紅外CCD - ICE探頭用于測(cè)量離二次電子和二次離子 - 樣品室 - 4mm分析工作距離(電子束和離子束交叉點(diǎn)) - 兩束夾角52度 5軸高精馬達(dá)臺(tái) - X/Y: 150mm, 壓電陶瓷驅(qū)動(dòng) - Z 10mm (自動(dòng)) - T= -10度 到 +60度 - R=nx 360度 - 傾斜精確度0.1度（50度到54度之間） - X/Y方向 重復(fù)性1.0微米 樣品尺寸 - 最大樣品：150mm直徑，可以自由旋轉(zhuǎn)（更大樣品旋轉(zhuǎn)受限） - 最大樣品厚度：55mm(7mm WD) - 重量：500g(包括樣品托)